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SAMSUNG

SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 4 TB M.2 NVMe PCI Express 4.0 V-NAND TLC Lettura: 7150 MB/s - Scrittura: 6300 MB/s

Codice TL-1000022732Cod. produttore MZ-V9S4T0BW

Disponibili a catalogo: 8 · su ordinazione

731,70 €Prezzo indicativo · regime forfettario, IVA non addebitata

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IL PRODOTTO NEL DETTAGLIO

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amsung MZ-V9S4T0. Capacità SSD: 4 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 7150 MB/s, Velocità di scrittura: 6300 MB/s, Componente per: PC

DATI PER SCEGLIERE

Caratteristiche e identificazione

Categoria
Unità SSD
Marchio
SAMSUNG
Condizione
Nuovo
Codice articolo
TL-1000022732
EAN
8806095575667
Codice produttore
MZ-V9S4T0BW

I dati tecnici strutturati non sono ancora disponibili. Non deduciamo caratteristiche mancanti: chiedici la verifica del modello.

Produttore, contatti e informazioni di sicurezza

Produttore / responsabile UE

Fabbricante: Samsung Electronics Co., Ltd. Contatto Semiconductor: 1, Samsungjeonja-ro, Hwaseong-si, Gyeonggi-do 18448, Corea del Sud. Contatto elettronico ufficiale: samsung.com Contatto per la sicurezza nell’Unione europea indicato da Samsung: Samsung, PO Box 12987, Dublino, Irlanda; assistenza elettronica: samsung.com.

Compatibilità e sicurezza

Installazione e compatibilità: consultare prima la guida del produttore della scheda madre o del notebook e la guida Samsung collegata. Unità interna M.2 2280 NVMe: verificare interfaccia e spazio disponibile del sistema; un connettore M.2 non garantisce da solo la compatibilità. Le viti di fissaggio M.2 non sono comprese nella confezione indicata dalla guida Samsung. Garantire adeguata ventilazione. Temperatura operativa dichiarata: 0–70 °C; conservazione: −40–85 °C; umidità 5–95% senza condensa. Guida di installazione, anche in italiano: Documento del produttore (PDF) Scheda tecnica del modello: Documento del produttore (PDF) Fonte ufficiale: Documento del produttore (PDF)

SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 4 TB M.2 NVMe PCI Express 4.0 V-NAND TLC Lettura: 7150 MB/s - Scrittura: 6300 MB/s
SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 4 TB M.2 NVMe PCI Express 4.0 V-NAND TLC Lettura: 7150 MB/s - Scrittura: 6300 MB/s, immagine 1 di 3
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